8. Dong-Jun Seong, Min Kyu Yang, Hyun Kyu Seo, Se Yeon Jeong, Su Yeon Lee, Jun Hyuk Lee, Hyo Jong An, Tae Heon Kim, Sang Kyum Kim, "Semiconductor memory device having hybrid capacitor", US-18539262

7. Min Kyu Yang, Seong-Geon Park, Dong-Jun Seong, Dong-Ho Ahn, Jung Moo Lee, Seol Choi, Hideki Horii, "Methods of forming semiconductor devices having threshold switching devices", US-10714685

6. Min Kyu Yang, Seong-Geon Park, Dong-Jun Seong, Dong-ho Ahn, Jung Moo Lee, Seol Choi, Hideki Horii, "Method of forming semiconductor devices having threshold switching devices", US-10403818

5. Seol Choi, Hideki Horii, Dong-ho Ahn, Seoung-Geon Park, Dong-Jun Seong, Min Kyu Yang, Jung-Moo Lee, "Variable resistance memory device and method of manufacturing the same", US-10186552

4. Hyunsu Ju, Min Kyu Yang, Eunmi Kim, Seong-Geon Park, Ingyu Baek, "Methods of operating variable resistance memory devices", US-9378811

3. Yoocheol Shin, Min Kyu Yang, "Three-dimensional resistive random access memory devices, methods of operating the same, and methods of fabricating the same", US-9093369

2. Hyunsu Ju, Eunmi Kim, Yoocheol Shin, Min Kyu Yang, Jungdal Choi, "Resistive random access memory devices having variable resistance layers and related methods", US-9059395

1. Hyunsu Ju, Min Kyu Yang, EunMi Kim, Seong-Geon Park, "Nonvolatile stacked memory structure with a resistance change film between a vertical electrode and horizontal electrodes", US-8785899

14. 성동준, 양민규, 홍용원, 정진영, 황수정, "가변 저항 메모리 소자", 10-2023-0101522

13. 성동준, 양민규, 최준용, 주태현, 최다현, "상변화 메모리 소자 제조 방법", 10-2023-0101521

12. 성동준, 양민규, 이민경, 이승원, 전시영, "가변 저항 메모리 소자 및 그 제조 방법", 10-2023-0101520

11. 성동준, 양민규, 안효종, 유제영, 위다영, "가변 저항 메모리 소자 제조 방법", 10-2023-0101519

10. 성동준, 양민규, 신준하, 신현영, 심동준, "반데르발스 물질층을 이용한 가변 저항 메모리 소자 및 그 제조 방법", 10-2023-0101518

9. 성동준, 양민규, 서지원, 순현우, 서혜미, "가변 저항 메모리 소자 및 그 제조 방법", 10-2023-0101517

8. 성동준, 양민규, 라영해, 박건수, 박서연, "가변 저항 메모리 소자 및 그 제조 방법", 10-2023-0101516

7. 성동준, 양민규, 김태헌, 김윤지, 김준기, "가변 저항 메모리 소자", 10-2023-0101515

6. 성동준, 양민규, 김동건, 김다경, 김민서, "분산된 금속 나노 입자를 포함하는 MIT 선택 소자를 구비한 가변 저항 메모리 소자 및 그 제조 방법", 10-2023-0101514

5. 성동준, 양민규, 강석준, 강호신, 권예준, "가변 저항 메모리 소자 제조 방법", 10-2023-0101513

4. 양민규, 서현규, 이수연, 성동준, 김종우, "비휘발성 특성을 가지는 OTS 및 상변화층의 적층구조", 10-2022-0147571

3. 양민규, 서현규, 이수연, "차단 상태의 전류를 최소로 하는 오보닉 문턱 스위칭 소자", 10-2022-0144488

2. 양민규, 서현규, 이수연, "차단 상태의 전류를 최소로 하는 오보닉 문턱 스위칭 소자", 10-2022-0144487

1. 양민규, 서현규, 이수연, "오보닉 문턱 스위칭 소자", 10-2022-0139337